技术开发
一家专注于半导体设备研发/生产及销售的企业
■ 晶圆清洗
型号：RTC
常温溶剂型 晶圆旋转去蜡清洗机
随着化合物半导体与3D高阶封装工艺的发展，晶圆背面薄化工艺越来越仰赖临时键合技术，而液态热蜡成为目前普遍使用的临时键合材料，而完成晶圆背面工艺后的解键合工艺与键合蜡去除的清洗工艺设备在晶圆处理能力上对工艺生产成本与良率要求就显得非常重要。
RTC series是针对使用液态蜡作为临时键合材料的除蜡清洗设备，使用常温有机溶剂将晶圆表面的键合蜡喷洗去除，稳定、高去除能力、节省药液是RTC除蜡清洗设备的特色，是已经十分成熟的工艺装置。
标准2路
常温去蜡/清洗剂喷洗系统
标准1路
晶圆旋转制程盆罩
标准1套
消防CO2灭火系统
可客制化增减化学液路数、温度与种类。
半自动单机&全自动整合机可选择。
型号：HTC
高温溶剂型晶圆旋转去胶清洗机
应高阶晶圆临时键合后的晶圆除胶清洗工艺技术，芯睿整合了在化合物晶圆除蜡清洗( Wax Remove Clean)工艺与半导体光刻胶剥离( Photo-resister Strip)的工艺经验技术，针对激光解离临时键合材料开发。
HTC Series使用高规格安全性的化学溶剂加热循环技术与近接低压喷洗工艺，能够将薄化后的晶圆上激光解离临时键合材料直接喷洗去除，是化合物半导体与3D高阶封装工艺中非常得力的工艺设备。
高温去胶剂喷洗系统
液体回收过滤再生系统
常温清洗剂喷洗系统
常温溶剂/DIW
N2辅助旋干吹气臂
晶圆旋转分层排液分层盆罩
半自动单机机型&标准1套消防C02灭火系统。 可客制化增减化学液路数、温度与种类。
■ 设备核心为旋转涂布系统，其针对液态蜡、热反应键合胶、光反应键合胶等键合胶剂在晶圆上进行涂布，将一片涂有特殊胶(蜡)的蓝宝石基板及晶圆芯片于腔体内建立真空及加热，使特殊胶(蜡)溶化后，于真空腔体经压板加压后冷却固定，使两片晶圆胶合在一起。本机共有3组相同工作站(依需求设计不同尺寸)，可同时进行生产。
■ 自动晶圆分离机设备供给胶合晶圆分离使用，主要功能为将两片胶合完成的晶圆在经过前段工艺完成后，使用基座加热至所需摄氏度后将其胶合蜡(胶)溶解，再经由上下真空吸盘建立真空吸力后，使用步进马达驱动方式向前移动，进而使其两片分离。此外，解键合后需要去蜡去胶清洗机将晶圆上的蜡或胶由旋转喷溅方式去除干净。
50mm-300mm晶圆键合与解键合
■ 自动晶圆键合机（50-200mm）
■ 半自动晶圆键合机（50-200mm）
■ 晶圆键合机样片
能力 用于6寸（砷化镓）晶圆的AWB
GaAs键合后无气泡
能力 用于6寸（碳化硅）晶圆的AWB
SiC on Sapphire 键合后无气泡
■ 晶圆解键合机（50-200mm）
■ 化学晶圆涂布机
型号：BSC 键合材料旋转涂布机
为针对化合物半导体、高阶3D先进封装和微机电半导体之晶圆键合工艺( Wafer Bonding Process)所开发的晶圆键合胶旋转涂布工艺装置，能够对应临时性键合胶、永久性键合胶的特性对晶圆表面进行旋转涂布、预烘烤，用于执行后续的晶圆键合工艺生产。
标准2路 键合胶剂定量旋涂系统
EBR/BSR清洗剂喷液系统
标准2套
自动烘烤装置
（加热板x1；冷却板x1）
半自动单机、全自动单机&全自动整合机可选择
激光解键合设备
激光脱粘模块
■ 占地面积高效的激光器，维护成本低，耗材成本低
■ 通过在一个腔室中结合激光处理和晶圆分离，将处理时间降至最低
■ 激光处理过程中限制热输入的准顶帽/线光束轮廓
■ 高吞吐量能力
■ 采用Nd:YAG晶体的二极管端面泵浦调q三倍频激光器
■ 带激光头、电源、冷却器：
■ -波长：UV（355nm）
■ -脉冲重复率：从单次激发到10kHz
■ -从单次激发到10kHz的脉冲能量：3mJ
■ -脉冲长度：10ns
■ -10kHz时的最大平均功率：30W
■ 梁轮廓：平顶帽
■ 扫描镜头：F580mm，用于320x320的扫描区域，WD 670mm
